IRF7832TR

IRF7832TR

停产单 FET,MOSFET8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻4 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流20 A
导通电阻4 mΩ最大 · 20A
阈值电压2.32 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
PackageCut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SO
其他
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4310 pF @ 15 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.32V @ 250µA

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技术资料

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