IRF7341TRPBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单高效能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于60V电压环境，具备6.5A强劲连续电流处理能力。特别适合于消费级电子产品中的电源转换、负载开关及逆变器应用，其出色的低导通电阻与高速切换性能，确保系统稳定运作并优化能源效率。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻36 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻36 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,6A |
| 数量 | 2个N沟道 |