IRF540ZPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流70 A
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流70 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.35W |