JSMSEMI(杰盛微)中国

IRF540NS-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流33 A
导通电阻30 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流33 A
导通电阻30 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)33A
其他
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V,15A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 509.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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