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IRF540N-VB

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流45 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流45 A
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)45A
其他
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)3.75W

技术资料

数据手册数据手册 · 817.4 KB · 2026-09-21
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