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INK0012AM1-T150

单 FET,MOSFET
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技术参数

电源
ID-最大漏极电流0.2A
Id-额定电流0.2A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压4V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗1700mΩ
Ron-最大导通阻抗1700mΩ
环境与封装
封装类型1SC70
其他
Ciss-输入电容23pF
Ciss-输入等效电容23pF
Qg-栅极电荷NnC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

技术资料

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