HUASHUO(华朔)中国

HSY0149A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道快速开关MOSFET，适用于高频开关、同步整流和DC/DC转换器

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沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流150 A
导通电阻8.5 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压100 V
连续漏极电流150 A
导通电阻8.5 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)150A
其他
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

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