HSY011N10
晶体管 - FET，MOSFET - 单N沟道快速开关MOSFET，采用先进的高单元密度SGT MOS技术，超低导通电阻，100% EAS保证，有绿色环保器件可选
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流365 A
导通电阻1.05 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流365 A
导通电阻1.05 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 365A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.05mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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