HUASHUO(华朔)中国

HSP18N20A

晶体管 - FET，MOSFET - 单
问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流18 A
导通电阻120 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压200 V
连续漏极电流18 A
导通电阻120 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
其他
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 998.9 KB · 2026-09-21
进入资料中心