HSK1N25
晶体管 - FET，MOSFET - 单具有极高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS保证，具备完整功能可靠性认证。超低栅极电荷，有绿色器件可选，出色的Cdv/dt效应抑制，采用先进的高单元密度沟槽技术。
沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流1 A
导通电阻1 Ω
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沟道N 沟道
耐压250 V
连续漏极电流1 A
导通电阻1 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 250V |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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