双N沟道快速开关MOSFET,适用于负载开关、电池保护、照明等

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻15 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流20 A
导通电阻15 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
其他
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
数量2个N沟道

技术资料

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