HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向重复电压（VR）达600V，正向压降（VF）典型值为1.7V，反向漏电流（IR）低至5μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达50A，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合，能够在高电压环境下保持稳定可靠的运行性能。