HS1195
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V系统设计，具备双P沟道结构以实现高效能正向导通。额定电流高达8.5A，适用于电池保护、电源切换等应用场景，凭借其出色的低导通电阻与快速开关性能，成为现代电子设备理想的高功率控制元件。
沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.5 A
导通电阻20 mΩ
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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流8.5 A
导通电阻20 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 数量 | 2个P沟道 |