HL(富海微)中国
HL15N06Q
晶体管 - FET，MOSFET - 单沟槽;1个N沟道;VDSS:60V;ID:15A;VGS:±20V;VTH:1.6V;RDS(ON):28mΩ;PD：1.5W
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流15 A
导通电阻40 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流15 A
导通电阻40 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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