HGS117N10S

在产单 FET,MOSFETSOIC-8

100V MOSFET

耐压100 V
连续漏极电流11 A
阈值电压4 V

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技术参数

耐压100 V
连续漏极电流11 A
阈值电压4 V最大
电源
ChannelN
环境与封装
PackageSOIC-8
其他
ConfigurationSingle
ID11A
Product Family100V
Qg15nC
Qgd3nC
Qgs5nC
RDS(on) condition 213.5mΩ
VDS100V
VGS(th)4V

技术资料