HGB033N10SH

在产单 FET,MOSFETTO-263

100V MOSFET

耐压100 V
连续漏极电流195 A
导通电阻3.4 mΩ
阈值电压5 V

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

耐压100 V
连续漏极电流195 A
导通电阻3.4 mΩ最大
阈值电压5 V最大
电源
ChannelN
环境与封装
PackageTO-263
其他
ConfigurationSingle
ID195A
Product Family100V
Qg65nC
Qgd10nC
Qgs26nC
RDS(on)3.4mΩ
RDS(on) condition 23.6mΩ
VDS100V
VGS(th)5V

技术资料