HL(豪林)中国

HA210N06

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,60V,210A,4mΩ@10V

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耐压60 V
连续漏极电流210 A
导通电阻4 mΩ

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技术参数

耐压60 V
连续漏极电流210 A
导通电阻4 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)210A
其他
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)220W

技术资料

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