H120N4T

在产单 FET,MOSFETTO-220

MOSFETs · 中低压MOSFETs

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技术参数

环境与封装
封装TO-220
其他
ConfigurationN
ID(A)120
RDS(on) Max @VGS=10V (mΩ)4.3
RDS(on) Max @VGS=4.5V (mΩ)7.5
RDS(on) Typ @VGS=10V (mΩ)3.3
RDS(on) Typ @VGS=4.5V (mΩ)5.5
VDS(V)40
VGS(th) Typ(V)1.6

技术资料