H120N4D

在产单 FET,MOSFETTO-252

MOSFETs · 中低压MOSFETs

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技术参数

环境与封装
封装TO-252
其他
ConfigurationN
ID(A)120
RDS(on) Max @VGS=10V (mΩ)2.1
RDS(on) Max @VGS=4.5V (mΩ)3.5
RDS(on) Typ @VGS=10V (mΩ)1.6
RDS(on) Typ @VGS=4.5V (mΩ)2.4
VDS(V)40
VGS(th) Typ(V)1.8

技术资料