Goford Semiconductor中国台湾

类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-90A@@阈值电压(Vgs(th))：-4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：27mΩ@10V @@封装：TO-220