Vishay美国

RECTIFIER DIODE 1000V 1A DO-214BA

Vishay GF1M 是一款单玻璃钝化整流二极管,封装为 GF1 (DO-214BA),最大重复峰值反向电压 1000 V,平均整流电流 1.0 A,工作结温 -65 至 +175 °C,符合 AEC-Q101 和 RoHS 标准。规格书核对

反向耐压1 kV
正向压降1.2 V

全部替代型号

查看完整报告

已收录 3 个替代型号,其中国产替代 1 个,登录后查看。

技术参数

反向耐压1 kV
正向压降1.2 V最大 · TA = 25 °C

规格书核对参数

18 项
参数值和测试条件出处
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均整流电流1.0 A at TL = 125 °C
最大瞬时正向压降1.2 V at 1.0 A, TA = 25 °C
二极管类型Surface-Mount Glass Passivated Rectifier
封装GF1 (DO-214BA)
工作结温与存储温度范围-65 to +175 °C
等级AEC-Q101 qualified
RoHS 合规RoHS COMPLIANT
最大直流阻断电压1000 V
最大均方根电压700 V
峰值正向浪涌电流30 A, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load
最大直流反向电流5.0 μA at TA = 25 °C, rated DC blocking voltage
最大直流反向电流 (高温)50 μA at TA = 125 °C, rated DC blocking voltage
典型反向恢复时间2.0 μs at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
典型结电容15 pF at 4.0 V, 1 MHz
器件标记代码GM
电路配置Single
最大结温175 °C
全部参数(7 项)展开收起
电源
Max. average forward rectified current at TL = 125 °C1.0 A
Max. DC reverse current at rated DC blocking voltage5.0 μA (Max)
Max. instantaneous forward voltage1.2 V (Max)
Max. repetitive peak reverse voltage1000 V
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load30 A
环境与封装
Operating junction and storage temperature range-65 to +175 °C
PackageGF1 (DO-214BA)

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。