DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

反向耐压600 V
平均整流电流1 A
正向压降1.1 V
类型标准

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技术参数

反向耐压600 V
平均整流电流1 A
正向压降1.1 V最大 · 1 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-65°C~175°C
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseDO-214BA
Supplier Device PackageDO-214BA (GF1)
其他
Base Product NumberGF1
Capacitance @ Vr, F-
Diode TypeStandard
MfrVishay General Semiconductor - Diodes Division
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
SeriesSUPERECTIFIER®
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

技术资料