HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

此款GBU封装整流桥器件，以其卓越的性能和稳定性脱颖而出。其具备1000V的高反向电压额定值（VR），即使在10A连续工作电流下，正向压降VF也能保持在低至1.05V，有效优化系统能效表现。同时，该器件具有强大的持续电流承载能力，高达15A（IO），确保了在严苛条件下仍能稳定可靠地运行。这款整流桥适用于各类高电压、大电流应用环境，是您电路设计的理想之选，助您实现高效稳定的电源转换。