GA10JT12-247

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-247AB

TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

耐压1.2 kV
连续漏极电流10 A
导通电阻140 mΩ

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技术参数

耐压1.2 kV
连续漏极电流10 A
导通电阻140 mΩ最大 · 10A
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Power Dissipation (Max)170W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature175°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247AB
其他
FET Feature-
FET Type-
MfrGeneSiC Semiconductor
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 10A
Series-
TechnologySiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)-
Vgs(th) (Max) @ Id-

技术资料