鑫飞宏中国

FH8204

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道增强型MOSFET,电流:9.5A,耐压:20V

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9.5 A
导通电阻13.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流9.5 A
导通电阻13.5 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9.5A
其他
导通电阻(RDS(on))13.5mΩ@2.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 683.0 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 456.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 416.3 KB · 2026-09-21
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