VBsemi(微碧半导体)中国

FDS6675B-VB

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个P沟道 耐压:30V 电流:11.6A

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.6 A

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.6 A
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11.6A
其他
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 219.7 KB · 2026-09-21
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