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FDS6675(UMW)

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压30 V
连续漏极电流11 A
导通电阻20 mΩ

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技术参数

耐压30 V
连续漏极电流11 A
导通电阻20 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)11A
其他
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V,9A
耗散功率(Pd)2.5W

技术资料

数据手册数据手册 · 24.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 22.5 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 353.9 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 112.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 3.2 KB · 2026-09-21
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