POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Fairchild FDD4141 P沟道PowerTrench MOSFET，-40V耐压，-50A连续电流，12.3mΩ导通电阻，D-PAK (TO-252)封装，RoHS合规。规格书核对
沟道P 沟道
耐压-40 V
连续漏极电流10.8 ~ 50 A
导通电阻12.3 mΩ
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技术参数
沟道P 沟道
耐压-40 V
连续漏极电流10.8 ~ 50 A
导通电阻12.3 mΩ最大 · 12.7A
阈值电压3 V最大 · 250μA
规格书核对参数
13 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel | |
| 耐压 | -40 V | |
| 连续漏极电流 | -50 A at TC=25°C | |
| 导通电阻 | Max 12.3 mΩ at VGS = -10 V, ID = -12.7 A | |
| 封装 | D-PAK (TO-252) | |
| 工作温度 | -55 to +150 °C |
全部参数（20 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 69W (Tc) |
| 环境与封装 | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| 其他 | |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2775 pF @ 20 V |
| Mfr | Fairchild Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 12.7A, 10V |
| Series | PowerTrench® |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。