HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

【联系：sales@hxymos.com】该P沟道场效应管（MOSFET）具备40V漏源击穿电压，支持50A连续漏极电流，导通电阻典型值为10mΩ。低导通损耗特性使其在电池保护、负载开关及电源管理电路中表现优异，适用于对空间与效率有严格要求的便携式设备供电方案，可实现高效电流控制与热性能优化。