FDB045AN08A0-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性和高效率的功率电子模块，如电源管理、电动车辆和工业自动化等领域。TO263；N—Channel沟道,80V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；
沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流120 A
导通电阻10 mΩ
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沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流120 A
导通电阻10 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |