BORN(伯恩半导体)中国

ES1A

在产单二极管
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技术参数

IF(A)1.0
IFSM(A)30
IR(µA)5.0
Trr（ns）35
VF@IF（V）0.95
VRRM(V)50

技术资料

数据手册数据手册 · 729.4 KB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 703.8 KB · 2026-09-23
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