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技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.1A
VCBO-集基级击穿电压50V
VCEO-CE结击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
交流 / 直流特性
fT-变换频率NMHZ
hFE-最小直流增益30
Hfe-最小直流增益35
环境与封装
封装类型1SC-75
封装类型2SC-105
最大工作温度150℃
其他
Pd-功率耗散0.15W
Pd-最大功率耗散0.3W
偏置电阻R110KΩ
偏置电阻R210KΩ
引脚数量13
引脚数量23

技术资料