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DP4080

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压40 V
导通电阻8 mΩ
阈值电压1 V

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技术参数

沟道N 沟道
耐压40 V
导通电阻8 mΩ最大 · 4.5V
阈值电压1 V最大
电源
漏源电压(Vdss)40V
阈值电压(Vgs(th))1V
其他
导通电阻(RDS(on))8mΩ@4.5V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 969.6 KB · 2026-09-21
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