CSD85301Q2T-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)-B；N+N—Channel沟道；30V；5.8A；RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
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台积电流片，长电科技封装；DFN6(2X2)-B；N+N—Channel沟道；30V；5.8A；RDS(ON)=22(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
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