华润华晶中国

CS20N65FA9H

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道 650V 20A

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流20 A
导通电阻500 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流20 A
导通电阻500 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)20A
其他
导通电阻(RDS(on))500mΩ@10V,10A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 311.6 KB · 2026-09-21
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