华润华晶中国

CS16N65FA9H

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,650V,16A,490mΩ@10V

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沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流16 A
导通电阻550 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压650 V
连续漏极电流16 A
导通电阻550 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)16A
其他
导通电阻(RDS(on))550mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 307.3 KB · 2026-09-21
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