华润华晶中国

CS16N06AE-G

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:60V 电流:16A

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流16 A
导通电阻12 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流16 A
导通电阻12 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16A
其他
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V,8A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.7 MB · 2026-09-21
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