Cmos(广东场效应半导体)中国

CMB3205

晶体管 - FET，MOSFET - 单
问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压65 V
连续漏极电流100 A
导通电阻6.8 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压65 V
连续漏极电流100 A
导通电阻6.8 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)65V
连续漏极电流(Id)100A
其他
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
进入资料中心