Cmos(广东场效应半导体)中国

CMB30N10

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流30 A
导通电阻33 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流30 A
导通电阻33 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
其他
导通电阻(RDS(on))33mΩ
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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