晶导微电子中国

CM10N65F

晶体管 - FET，MOSFET - 单

连接漏极电流(Id)(25℃时):10A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

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耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻700 mΩ

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技术参数

耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻700 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
其他
导通电阻(RDS(on))700mΩ@10V
耗散功率(Pd)55W

技术资料

数据手册数据手册 · 125.7 KB · 2026-09-21
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