CEU6060N-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻40 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流30 A
导通电阻40 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,10A |
| 数量 | 1个N沟道 |