CET(华瑞)中国

CEA3252

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,30V,5A,32mΩ@10V

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5 A
导通电阻45 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5 A
导通电阻45 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
其他
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V,4A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 133.6 KB · 2026-09-21
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