BZV55C3V6

单齐纳二极管DO-213AA

IC ZENER DIODE 3.6V 500MW DO-213AA

Microsemi BZV55C3V6 单齐纳二极管,稳压值 3.4-3.8V,DO-213AA 封装,工作温度 -65°C 至 +175°C,采用无引线表面贴装及双插结构。规格书核对

稳压值3.4 ~ 3.8 V
动态阻抗90 Ω

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技术参数

稳压值3.4 ~ 3.8 VI_ZT = 5 mA
动态阻抗90 Ω最大 · I_Z = 5 mA

规格书核对参数

13 项
参数值和测试条件出处
稳压值Min: 3.4 V, Max: 3.8 V @ I_ZT = 5 mA, 25°C
动态阻抗Max: 90 Ω @ I_Z = 5 mA, 25°C
反向电流Max: 5 μA @ V_R = 1 V, 25°C
正向电压Max: 1.1 V @ 200 mA
工作温度-65°C to +175°C
存储温度-65°C to +175°C
封装DO-213AA, Hermetically sealed glass case (MELF, SOD-80, LL34)
功率降额3.33 mW / °C above +50°C
热阻Max: 100 °C/W at L = 0 inch
热阻抗Max: 35 °C/W
引脚镀层Tin / Lead
极性Diode to be operated with the banded (cathode) end positive
结构特点Leadless package for surface mount, Double plug construction, Metallurgically bonded

技术资料

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