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| 电源 | |
|---|---|
| IC(100℃)-最大集电极电流 | 50A |
| Ic(100℃)-集电极直流电流 | 50A |
| IC(25℃)-最大集电极电流 | 100A |
| Ic(25℃)-集电极直流电流 | 100A |
| Icm-集电极峰值电流 | 150A |
| ICM-集电极峰值电流 | 150A |
| PD(25℃)-最大允许功耗 | 416W |
| Vce(sat)-集射极导通饱和电压 | 1.6V |
| Vces-集射极阻断电压 | 650V |
| VCES-集射极阻断电压 | 650V |
| 环境与封装 | |
| 封装类型1 | TO |
| 其他 | |
| Eoff-关断损耗能量 | 1.46mJ |
| Eon-开通损耗能量 | 3.1mJ |
| Pd-功率耗散 | 416W |
| Qg-栅极充电电荷 | 303nC |
| Qg-栅极电荷 | 303nC |
| tf-下降时间 | 58ns |
| Tf-开关关断时间 | 58ns |
| VCE(sat)-集射级饱和压降 | 1.6V |
| Vges-门极发射极耐压 | 20V |
| Vge(th)-门极发射极阈值 | 7 |
| 内置ESD保护二极管 | 0 |
| 内置串联二极管 | 0 |
| 引脚数量1 | 3 |
| 软开关 | 0 |
| 集成ESD二极管 | 0 |
| 集成串联二极管 | 0 |
技术资料
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