AM(安美)中国

BSS123K

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N-沟道MOSFET,电流:0.17A,耐压:100V

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻9 Ω

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻9 Ω最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170mA
其他
导通电阻(RDS(on))9Ω@4.5V,0.2A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 877.7 KB · 2026-09-21
进入资料中心