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BSP317P H6327

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压250 V
连续漏极电流430 mA

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技术参数

沟道P 沟道
耐压250 V
连续漏极电流430 mA
电源
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)430mA
其他
数量1个P沟道
耗散功率(Pd)1.8W

技术资料

数据手册数据手册 · 615.4 KB · 2026-09-21
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