BLF188XR

RF FET,MOSFETSOT539A

1400W, 600MHz,50V LDMOS

1400 W LDMOS功率晶体管,HF至600 MHz频段,SOT539A封装,集成ESD保护,符合RoHS。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

16 项
参数值和测试条件出处
封装SOT539A (flanged balanced ceramic package; 2 mounting holes; 4 leads)
RoHSCompliant to Directive 2002/95/EC
漏源电压Max 135 V
栅源电压Min -6 V, Max +11 V
存储温度Min -65 °C, Max +150 °C
结温Max 225 °C
漏源击穿电压Min 135 V (VGS = 0 V; ID = 5.5 mA)
栅源阈值电压Min 1.25 V, Typ 1.9 V, Max 2.25 V (VDS = 10 V; ID = 550 mA)
栅源静态电压Min 0.68 V, Typ 1.5 V, Max 1.88 V (VDS = 50 V; ID = 20 mA)
漏极漏电流Max 2.8 μA (VGS = 0 V; VDS = 50 V)
漏极截止电流Typ 77 A (VGS = VGS(th) + 3.75 V; VDS = 10 V)
栅极漏电流Max 280 nA (VGS = 11 V; VDS = 0 V)
漏源导通电阻Typ 0.08 Ω (VGS = VGS(th) + 3.75 V; ID = 19.25 A)
输出功率1400 W (CW, 27 MHz, VDS = 50 V)
工作频率范围HF to 600 MHz
ESD保护Integrated

引脚与封装

封装SOT539A (flanged balanced ceramic package; 2 mounting holes; 4 leads)

脚位名称功能出处
1drain1 (漏极1)
2drain2 (漏极2)
3gate1 (栅极1)
4gate2 (栅极2)
5source (源极,连接至法兰)

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。