JFET N-CH 20V 30mA SOT23
NXP BF511 N沟道硅场效应晶体管，SOT23封装，VDS最大20V，ID最大30mA，适用于汽车收音机射频级，具有低反馈电容和低噪声系数。规格书核对
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技术参数
规格书核对参数
9 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 封装 | SOT23 | |
| 工作温度 | -65 to +150 °C | |
| 结温 | max. 150 °C | |
| 漏源电压 | max. 20 V | |
| 漏栅电压 | max. 20 V | |
| 漏极电流 | max. 30 mA |
全部参数（9 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Drain current (DC or average) | 30 mA (Max) |
| Drain current I_DSS | 2.5 mA (Min) |
| Drain-source voltage | 20 V (Max) |
| Total power dissipation up to T_amb = 40°C | 250 mW (Max) |
| 交流 / 直流特性 | |
| Noise figure F | 1.5 dB (Typ) |
| 环境与封装 | |
| Package | SOT23 |
| Storage temperature range | -65 to +150 °C |
| 其他 | |
| Feedback capacitance C_rs | 0.3 pF (Typ) |
| Transfer admittance |y_fs| | 4 mS (Min) |
引脚与封装
Top view
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 栅极 (Gate) | ||
| 2 | 漏极 (Drain) | ||
| 3 | 源极 (Source) |
器件图片
技术资料
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