BD745A

NPN硅功率晶体管，VCEO 60V，IC 20A，SOT-93封装，工作温度-65至+150°C，适用于与BD746系列互补使用。规格书核对

类型NPN

集射极耐压60 V

集电极电流20 A

放大倍数 hFE5 ~ 40

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类型NPN

集射极耐压60 V60 V (IB=0)

集电极电流20 A最大

放大倍数 hFE5 ~ 40Min 20 (VCE=4V，IC=5A)，Min 40 (VCE=4V，IC=1A)，Min 5 (VCE=4V，IC=20A)

功率115 W最大

19 项

参数	值和测试条件	出处
类型	NPN
集射极耐压	60 V (IB=0)
集电极电流	20 A
放大倍数 hFE	Min 20 (VCE=4V, IC=5A); Min 40 (VCE=4V, IC=1A); Min 5 (VCE=4V, IC=20A)
功率	115 W (at or below 25°C case temperature); 3.5 W (at or below 25°C free air temperature)
封装	SOT-93
工作温度	-65 to +150 °C
集基极耐压	70 V (IE=0)
发射极基极耐压	5 V
峰值集电极电流	25 A (tp ≤ 0.3 ms, duty cycle ≤ 10%)
连续基极电流	7 A
集射极击穿电压	60 V (IC=30mA, IB=0)
集电极截止电流	Max 0.1 mA (VCE=70V, VBE=0); Max 5 mA (VCE=70V, VBE=0, TC=125°C)
集射极饱和电压	Max 1 V (IB=0.5A, IC=5A); Max 3 V (IB=5A, IC=20A)
基射极电压	Max 1 V (VCE=4V, IC=5A); Max 3 V (VCE=4V, IC=20A)
小信号电流放大倍数	Typ 25 (VCE=10V, IC=1A, f=1kHz); Typ 5 (VCE=10V, IC=1A, f=1MHz)
无钳位感性负载能量	90 mJ
存储温度	-65 to +150 °C
引脚温度	260 °C (3.2 mm from case for 10 seconds)

全部参数（4 项）展开收起

封装SOT-93

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。