NXP USA Inc.荷兰

NOW NEXPERIA BCV26 - SMALL SIGNA

类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流500 mA
放大倍数 hFE20000

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技术参数

类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流500 mA最大
放大倍数 hFE20000100mA
功率250 mW最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Power - Max250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition220MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
其他
MfrNXP USA Inc.
Product StatusActive
SeriesAutomotive, AEC-Q101
Transistor TypePNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 100µA, 100mA

技术资料